По-умолчанию, цена указа за новые радиодетали и с датой выпуска меньше 1990 года - условное обозначение: <1990
Если год выпуска больше или равен 1990 году, но меньше 1991 года (обозначается так: >=1990 <1991 ), то применяется скидка стоимости в размере 15%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.
Если год выпуска больше или равен 1991 году, но меньше 1992 года (обозначается так: >=1991 <1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 30%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.
Если год выпуска больше или равен 1992 году (обозначается так: >=1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 70%
Все приборы с датой выпуска начиная от 1990 года сортировать отдельно!!!
Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для усилителей мощности длинно- и средневолнового диапазона при напряжении питания 27 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 35 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ947А | 2N6047, BDP620 | |||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ947А | 50 °C | 200* | Вт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ947А | — | ≥75 | МГц |
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ947А | 0.01к | 100* | В |
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ947А | — | 5 | В |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ947А | — | 20(50*) | А |
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ947А | 100 В | ≤100* | мА |
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ947А | (5 В; 20 А) | 10…80* | |
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ947А | 27 В | ≤850 | пФ |
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ947А | — | ≥10** | Ом, дБ |
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ947А | 1.5 МГц | ≥250** | Дб, Ом, Вт |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ947А | — | — | пс |
|
|
|
|