Посмотреть большое фото

Куплю транзистор КТ909

Просмотров: 3023 Маркировка: КТ909
Наличие: Куплю

76.45 грн

Укажите состояние, чтобы видеть цену:

* Состояние транзистора:

Кол-во: В посылку

В закладки В сравнение

Описание Дата выпуска прибора

По-умолчанию, цена указа за новые радиодетали и с датой выпуска меньше 1990 года - условное обозначение: <1990

Если год выпуска больше или равен 1990 году, но меньше 1991 года (обозначается так: >=1990 <1991 ), то применяется скидка стоимости в размере 15%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.

Если год выпуска больше или равен 1991 году, но меньше 1992 года (обозначается так: >=1991 <1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 30%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.

Если год выпуска больше или равен 1992 году (обозначается так: >=1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 70%

Все приборы с датой выпуска начиная от 1990 года сортировать отдельно!!!

Транзистор КТ909

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования умножения частоты в диапазоне 100 — 500 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе, герметизированном пластмассой. Выводы полосковые, вывод эмиттера электрически соединен с фланцем корпуса. Условное обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г.

**Параметры транзистора КТ909**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ909А		2N5177
		КТ909Б		2N5178
		КТ909В		2SC2042
		КТ909Г		2SC2173
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ909А	—	27*	Вт
		КТ909Б	—	54*
		КТ909В	—	27*
		КТ909Г	—	54*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h21б,f^_h21э, f^**_max	КТ909А	—	≥350	МГц
		КТ909Б	—	≥500
		КТ909В	—	≥300
		КТ909Г	—	≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ909А	0.01к	60*	В
		КТ909Б	0.01к	60*
		КТ909В	0.01к	60*
		КТ909Г	0.01к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ909А	—	3.5	В
		КТ909Б	—	3.5
		КТ909В	—	3.5
		КТ909Г	—	3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ909А	—	*2(4)**	А
		КТ909Б	—	*4(8)**
		КТ909В	—	*2(4)**
		КТ909Г	—	*4(8)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ909А	60 В	30*	мА
		КТ909Б	60 В	60*
		КТ909В	60 В	30*
		КТ909Г	60 В	60*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ909А	—	—
		КТ909Б	—	—
		КТ909В	—	—
		КТ909Г	—	—
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ909А	28 В	≤30	пФ
		КТ909Б	28 В	≤60
		КТ909В	28 В	≤35
		КТ909Г	28 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ909А	—	≤0.3; ≥1.7**	Ом, дБ
		КТ909Б	—	≤0.18; ≥1.75**
		КТ909В	—	≤0.3; ≥1.2**
		КТ909Г	—	≤0.18; ≥1.5**
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ909А	500 МГц	20**	Дб, Ом, Вт
		КТ909Б	500 МГц	40**
		КТ909В	500 МГц	15**
		КТ909Г	500 МГц	≥30**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ909А	—	≤20	пс
		КТ909Б	—	≤20
		КТ909В	—	≤30
		КТ909Г	—	≤30

Метки: КТ909, 2Т909